我國LED關鍵領域已有突破
發布時間:2021-09-24 文章出自:http://www.sdbc.cc/
李晉閩所長介紹了我國在半導體照明領域取得的最新進展。據了解,我國在具有自主知識產權的關鍵設備MOCVD、HVPE以及在LED器件gesep.com如深紫外LED等都取得了重大進展。采用國產MOCVD設備制造了藍光LED芯片在20mA驅動電流下發光功率達到8.3mW,達到了國際先進水平,中科院半導體所設計的國產48片MOCVD機已經完成組裝,已進入設備調試階www.gesep.com環保段。而HVPE設備有可能成為未來半導體照明的核心裝備,目前也正在積極發展之中。
另外中科院半導體所在深紫外LED、垂直結構LED芯片、納米圖形襯底等都取得了重大進展。尤其是在深紫外LED領域,不僅可以應用于照明領域,在生物領域也有很大的發展空間,采用深紫外LED對細菌殺菌率達到了90%以上。然而,李所長也提到,目前我國在LED照明關鍵領域仍然面臨諸多問題和挑戰:研發投入不夠,力量分散,資源不能共享以及低水平建設突出等等。
牟同升教授則認為對于照明光源而言,各種光污染已經影響到了人類健康。而LED作為無頻閃、無紫外線輻射、無電磁波輻射、較低熱輻射等特性,使之成為真正的健康光源。同時,LED具有多色彩、智能化的優點,可以實現不同環境下照明應用,非常適合室內對于照明的需求。
國家半導體照明產業聯盟副秘書長阮軍則指出,2010年我國LED產業整體規模已經達到1200億元,未來5年仍然會以超過30%的復合增長率增長,預計到2015年,我國LED產業規模將達到5000億元,但目前我國LED企業規模小且分散,產業雖大但不強。因此,需要從國家層面進行統籌協調,加大對關鍵領域的投入以應對來自國際化的競爭。
而臺灣晶電王希維則分享關于LED在背光、通用照明領域發展趨勢的觀點。他認為,目前LED業者在LED向背光領域滲透過程中已經積累較多關于如何提升性能、降低成本等領域的經驗。而對于固態照明時代的到來,對于LED來說,挑戰不僅僅是在于lm/W(光效),同時也仰賴于lm/$(成本),當成本達到500lm/$時,將會啟動LED照明爆發式增長。而基于目前LED行業投入和技術發展來看,這一時間節點有望在2012-2013年間實現。